Numărul de produs al producătorului:
IPD50R650CEATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD50R650CEATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12801850
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
vjTq
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD50R650CEATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
342 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD50R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD50R650CEATMA1DKR
IPD50R650CEATMA1CT
IPD50R650CEATMA1-DG
SP001117708
IPD50R650CEATMA1TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD50R650CEAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1584
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD50R650CEAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRF1405ZS
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
AUIRF7799L2TR
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
