Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
BSC13DN30NSFDATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC13DN30NSFDATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 16A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
3254 Piese Noi Originale În Stoc
12801878
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC13DN30NSFDATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2450 pF @ 150 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC13DN30
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
BSC13DN30NSFDATMA1-DG
Fișe tehnice
BSC13DN30NSFDATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
BSC13DN30NSFDATMA1TR
BSC13DN30NSFDATMA1DKR
BSC13DN30NSFDATMA1CT
2156-BSC13DN30NSFDATMA1
SP000854374
INFINFBSC13DN30NSFDATMA1
BSC13DN30NSFDATMA1-DG
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRF7799L2TR
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
BSC024NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
BSC0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
IPA65R1K5CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220