Numărul de produs al producătorului:
IPA65R1K5CEXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA65R1K5CEXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 5.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
487 Piese Noi Originale În Stoc
12801917
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA65R1K5CEXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA65R1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPA65R1K5CEXKSA1
SP001429484
ROCINFIPA65R1K5CEXKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP7NK80ZFP
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
817
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP7NK80ZFP-DG
PREȚ UNIC
1.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
IRFR4105ZTR
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPP037N08N3GE8181XKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
