Numărul de produs al producătorului:
IPD350N06LGBUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD350N06LGBUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12802811
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD350N06LGBUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 28µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD350N
Informații suplimentare
Alte nume
IPD350N06LGXT-DG
IPD350N06LGXT
SP000204197
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD350N06LGBTMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4704
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD350N06LGBTMA1-DG
PREȚ UNIC
0.30
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR4510TRPBF
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
IPB010N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
IPD90R1K2C3ATMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3