Numărul de produs al producătorului:
IPB010N06NATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB010N06NATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
4992 Piese Noi Originale În Stoc
12802816
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB010N06NATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
45A (Ta), 180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
208 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
IPB010
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB010N06NDKR
SP000917410
IPB010N06N-DG
IPB010N06NATMA1TR
IPB010N06NTR
IPB010N06NDKR-DG
IPB010N06NCT-DG
IPB010N06NTR-DG
IPB010N06NATMA1CT
IPB010N06NATMA1DKR
IPB010N06N
IPB010N06NCT
2156-IPB010N06NATMA1TR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD90R1K2C3ATMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
IPI100N04S303MATMA2
MOSFET N-CH TO262-3
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB