Numărul de produs al producătorului:
IPD10N03LA
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD10N03LA-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
13063960
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD10N03LA Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1358 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD10N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000014983
IPD10N03LAT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDD8880
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
13967
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD8880-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK