Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB60R190P6ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB60R190P6ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
RFQ Online
13063974
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
F
Q
r
5
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB60R190P6ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ P6
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 630µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1750 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
151W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPB60R190P6ATMA1-DG
Fișe tehnice
IPB60R190P6ATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPB60R190P6ATMA1CT
2156-IPB60R190P6ATMA1
SP001364462
ROCINFIPB60R190P6ATMA1
IPB60R190P6ATMA1DKR
IPB60R190P6ATMA1TR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R6024ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
831
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6024ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R180P7ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2501
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R180P7ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.88
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB31N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB31N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.84
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB28N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB28N65M2-DG
PREȚ UNIC
1.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SIHB22N60EL-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHB22N60EL-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.94
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD60R520C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
IPA60R950C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE