Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB80N06S2H5ATMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
967 Piese Noi Originale În Stoc
12801351
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB80N06S2H5ATMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
Fișe tehnice
IPB80N06S2H5ATMA2
Informații suplimentare
Alte nume
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
IFEINFIPB80N06S2H5ATMA2
IPB80N06S2H5ATMA2TR
IPB80N06S2H5ATMA2DKR
IPB80N06S2H5ATMA2CT
SP000376884
2156-IPB80N06S2H5ATMA2
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB160N75F3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
970
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB160N75F3-DG
PREȚ UNIC
2.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTA140N055T2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA140N055T2-DG
PREȚ UNIC
1.85
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD65R380C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
IPA60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
IPB60R099CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3