Numărul de produs al producătorului:
IPB65R065C7ATMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB65R065C7ATMA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
5227 Piese Noi Originale În Stoc
12801353
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB65R065C7ATMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3020 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
171W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB65R065
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP002447554
IPB65R065C7ATMA2CT
IPB65R065C7ATMA2DKR
IPB65R065C7ATMA2TR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
IPB60R099CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPL65R660E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK