IPB65R190C7ATMA1
Numărul de produs al producătorului:

IPB65R190C7ATMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPB65R190C7ATMA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventar:

12855755
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPB65R190C7ATMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ C7
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB65R

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
IPB65R190C7ATMA1-DG
SP000929424
IPB65R190C7ATMA1DKR
IPB65R190C7ATMA1TR
IPB65R190C7ATMA1CT
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
TK20G60W,RVQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK20G60W,RVQ-DG
PREȚ UNIC
1.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
R6020ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
9101
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SIHB22N60ET5-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHB22N60ET5-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.79
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB65R190C7ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
630
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB65R190C7ATMA2-DG
PREȚ UNIC
1.25
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R120P7ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2950
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R120P7ATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.47
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
renesas-electronics-america

RJK6011DJE-00#Z0

MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD

renesas-electronics-america

UPA2813T1L-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

onsemi

NTMTS0D6N04CTXG

MOSFET N-CH 40V 533A

onsemi

NTD5414NT4G

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK