Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB50R140CPATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB50R140CPATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 550 V 23A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
RFQ Online
12800514
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB50R140CPATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
550 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 930µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2540 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
192W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB50R140
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPB50R140CPATMA1-DG
Fișe tehnice
IPB50R140CPATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPB50R140CPATMA1CT
IPB50R140CPCT-DG
IPB50R140CP-DG
IPB50R140CPATMA1TR
IPB50R140CPTR-DG
SP000212746
IPB50R140CPATMA1DKR
IPB50R140CPDKR-DG
IPB50R140CP
IPB50R140CPCT
IPB50R140CPDKR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOB29S50L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
540
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOB29S50L-DG
PREȚ UNIC
1.99
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB240N04S4R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7
IPB030N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
IPB80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
IPD50N06S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11