Numărul de produs al producătorului:
IPB030N08N3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB030N08N3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
2748 Piese Noi Originale În Stoc
12800521
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB030N08N3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8110 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
IPB030
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB030N08N3GATMA1CT
SP000444100
IPB030N08N3 GCT
IPB030N08N3 G-DG
IPB030N08N3GATMA1TR
IPB030N08N3G
IPB030N08N3 GDKR-DG
IPB030N08N3 GDKR
IPB030N08N3 G
IPB030N08N3 GTR-DG
IPB030N08N3GATMA1DKR
IPB030N08N3 GCT-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
IPD50N06S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
BSP373 E6327
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4