Numărul de produs al producătorului:
IPB160N04S2L03ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB160N04S2L03ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventar:
12802848
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB160N04S2L03ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7-3
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
IPB160N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-DG
IPB160N04S2L03ATMA1TR
SP000218153
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SQM200N04-1M7L_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
PREȚ UNIC
1.41
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPS50R520CP
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3
IPB160N04S4LH1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPI100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
