Numărul de produs al producătorului:
IPS50R520CP
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPS50R520CP-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 550 V 7.1A (Tc) 66W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventar:
12802851
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPS50R520CP Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
550 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
66W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3-11
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
IPS50R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000236067
2156-IPS50R520CP-IT
IFEINFIPS50R520CP
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTU8N70X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
64
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTU8N70X2-DG
PREȚ UNIC
1.71
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB160N04S4LH1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPI100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
IRFP7430PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC