Numărul de produs al producătorului:
IPB020NE7N3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB020NE7N3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
6904 Piese Noi Originale În Stoc
12801084
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB020NE7N3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB020
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB020NE7N3 GCT-DG
SP000676950
IPB020NE7N3GATMA1CT
IPB020NE7N3 G-DG
IPB020NE7N3 GTR-DG
IPB020NE7N3GATMA1DKR
IPB020NE7N3 GCT
2156-IPB020NE7N3GATMA1
IPB020NE7N3 GDKR
IPB020NE7N3 GDKR-DG
IPB020NE7N3 G
IPB020NE7N3GATMA1TR
IFEINFIPB020NE7N3GATMA1
IPB020NE7N3G
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPC302N08N3X2SA1
MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER
IPB65R110CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
IPA65R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V TO220
