Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPA80R310CEXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA80R310CEXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 6.8A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 6.8A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
RFQ Online
12801081
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA80R310CEXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA80R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPA80R310CEXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPA80R310CEXKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IFEINFIPA80R310CEXKSA1
2156-IPA80R310CEXKSA1-IT
SP001271076
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF18N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF18N60DM2-DG
PREȚ UNIC
1.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STF15NM65N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1088
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF15NM65N-DG
PREȚ UNIC
2.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFP12N65X2M
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
295
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP12N65X2M-DG
PREȚ UNIC
1.80
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK12A60W,S4VX
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
50
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK12A60W,S4VX-DG
PREȚ UNIC
1.63
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPA80R310CEXKSA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPA80R310CEXKSA2-DG
PREȚ UNIC
1.38
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
BSS138NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPC302N08N3X2SA1
MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER