Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPA65R280E6XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA65R280E6XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
500 Piese Noi Originale În Stoc
12799800
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA65R280E6XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA65R280
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPA65R280E6XKSA1-DG
Fișe tehnice
IPA65R280E6XKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPA65R280E6XKSA1
ROCINFIPA65R280E6XKSA1
SP000795276
IPA65R280E6
IPA65R280E6-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK290A65Y,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK290A65Y,S4X-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STF15N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
481
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF15N65M5-DG
PREȚ UNIC
0.98
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AOTF15S65L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
830
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOTF15S65L-DG
PREȚ UNIC
1.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STF16N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1639
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF16N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.36
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA50R950CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220
BSC050N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
BTS113ANKSA1
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4