Numărul de produs al producătorului:
IPA50R950CEXKSA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA50R950CEXKSA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 3.7A (Tc) 25.7W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Inventar:
12799803
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA50R950CEXKSA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
231 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25.7W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA50R950
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPA50R950CEXKSA2
ROCINFIPA50R950CEXKSA2
SP001217236
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R6061YNXC7G
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6061YNXC7G-DG
PREȚ UNIC
4.83
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC050N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
BTS113ANKSA1
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
