Numărul de produs al producătorului:
IPA65R650CEXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA65R650CEXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Inventar:
12799816
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA65R650CEXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
28W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA65R650
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001295804
IPA65R650CEXKSA1-DG
448-IPA65R650CEXKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP4N70X2M
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
24
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP4N70X2M-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP
IPAW60R600P7SE8228XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
IPA60R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP