IPA65R190C7
Numărul de produs al producătorului:

IPA65R190C7

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPA65R190C7-DG

Descriere:

IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack

Inventar:

RFQ Online
12946881
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPA65R190C7 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
IPA65R190C7 Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
2156-IPA65R190C7
IFEINFIPA65R190C7
Pachet standard
194

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FDPF5N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDA16N50LDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

international-rectifier

IRFH7914TRPBF

IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDPF12N50NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1