FDPF5N50FT
Numărul de produs al producătorului:

FDPF5N50FT

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDPF5N50FT-DG

Descriere:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

58950 Piese Noi Originale În Stoc
12946886
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDPF5N50FT Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
UniFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.55Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FDPF5N50FT
FAIFSCFDPF5N50FT
Pachet standard
331

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FDA16N50LDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

international-rectifier

IRFH7914TRPBF

IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDPF12N50NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

IRFSL7734PBF

IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P