IGLD60R190D1AUMA1
Numărul de produs al producătorului:

IGLD60R190D1AUMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IGLD60R190D1AUMA1-DG

Descriere:

GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

Inventar:

13276459
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IGLD60R190D1AUMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolGaN™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 960µA
Vgs (Max)
-10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
157 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-LSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-LDFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
IGLD60

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
448-IGLD60R190D1AUMA1DKR
448-IGLD60R190D1AUMA1TR
448-IGLD60R190D1AUMA1CT
SP001705426
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IGLD60R190D1AUMA3
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2344
DiGi NUMĂR DE PARTE
IGLD60R190D1AUMA3-DG
PREȚ UNIC
2.68
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

BSZ011NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON

infineon-technologies

IPB60R125CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3

infineon-technologies

IPLK80R900P7ATMA1

MOSFET 800V TDSON-8

infineon-technologies

IPA60R360CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 5A TO220