Numărul de produs al producătorului:
IGLD60R190D1AUMA3
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IGLD60R190D1AUMA3-DG
Descriere:
GAN HV
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Inventar:
2344 Piese Noi Originale În Stoc
12965865
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IGLD60R190D1AUMA3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolGaN™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 960µA
Vgs (Max)
-10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
157 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-LSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-LDFN Exposed Pad
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IGLD60R190D1AUMA3DKR
448-IGLD60R190D1AUMA3TR
448-IGLD60R190D1AUMA3CT
SP005557217
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IGOT60R070D1E8220AUMA1
GAN HV
IGT60R190D1ATMA1
GAN HV
IGO60R070D1E8220AUMA1
GAN HV