FF17MR12W1M1HB70BPSA1
Numărul de produs al producătorului:

FF17MR12W1M1HB70BPSA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

FF17MR12W1M1HB70BPSA1-DG

Descriere:

SIC 1200V AG-EASY1B
Descriere detaliată:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) Chassis Mount AG-EASY1B

Inventar:

21 Piese Noi Originale În Stoc
12994032
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tray
Serie
CoolSiC™
Starea produsului
Active
Tehnologie
Silicon Carbide (SiC)
Configurație
-
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V (1.2kV)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
-
Temperatura
-
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Carcasă
Module
Pachet dispozitiv furnizor
AG-EASY1B
Numărul de bază al produsului
FF17MR12

Informații suplimentare

Alte nume
SP005634488
448-FF17MR12W1M1HB70BPSA1
Pachet standard
24

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

NXV08B800DT1

MOSFET 80V APM17-MDC

goford-semiconductor

G120P03S2

MOSFET 30V 16A 8SOP

sanken

SMA5113

MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP

diodes

DMN61D9UDW-13-50

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363