NXV08B800DT1
Numărul de produs al producătorului:

NXV08B800DT1

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NXV08B800DT1-DG

Descriere:

MOSFET 80V APM17-MDC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 80V Through Hole APM17-MDC

Inventar:

12994117
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

NXV08B800DT1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.46mOhm @ 160A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
502nC @ 12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
30150pF @ 40V
Putere - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 125°C (TA)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Pachet dispozitiv furnizor
APM17-MDC
Numărul de bază al produsului
NXV08

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
488-NXV08B800DT1
Pachet standard
10

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
goford-semiconductor

G120P03S2

MOSFET 30V 16A 8SOP

sanken

SMA5113

MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP

diodes

DMN61D9UDW-13-50

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

micro-commercial-components

BSS138BKDW-TPQ2

MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363