BSZ037N06LS5ATMA1
Numărul de produs al producătorului:

BSZ037N06LS5ATMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

BSZ037N06LS5ATMA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

Inventar:

9860 Piese Noi Originale În Stoc
13276455
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

BSZ037N06LS5ATMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TSDSON-8-FL
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSZ037

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
448-BSZ037N06LS5ATMA1DKR
SP002035218
448-BSZ037N06LS5ATMA1TR
448-BSZ037N06LS5ATMA1CT
Pachet standard
5,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

BSZ010NE2LS5ATMA1

MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON

infineon-technologies

IGLD60R190D1AUMA1

GAN N-CH 600V 10A LSON-8

infineon-technologies

BSZ011NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON

infineon-technologies

IPB60R125CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3