Numărul de produs al producătorului:
BSV236SPH6327XTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSV236SPH6327XTSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 560mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventar:
13052 Piese Noi Originale În Stoc
12838961
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSV236SPH6327XTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 8µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
228 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
560mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT363-PO
Pachet / Carcasă
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Numărul de bază al produsului
BSV236
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSV236SPH6327XT
BSV236SP H6327
SP000917672
BSV236SP H6327TR-DG
BSV236SP H6327DKR
BSV236SP H6327CT-DG
BSV236SPH6327XTSA1CT
BSV236SP H6327DKR-DG
BSV236SP H6327-DG
BSV236SP H6327CT
BSV236SPH6327
BSV236SPH6327XTSA1DKR
BSV236SPH6327XTSA1TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD4243-F085P
MOSFET P-CH 40V 14A TO252
FDMC8462
MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
FCD260N65S3
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
