Numărul de produs al producătorului:
FCD260N65S3
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCD260N65S3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12838965
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCD260N65S3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1010 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
90W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FCD260
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-FCD260N65S3CT
488-FCD260N65S3DKR
FCD260N65S3-DG
488-FCD260N65S3TR
2156-FCD260N65S3-488
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDP34N33
MOSFET N-CH 330V TO220-3
FQB8N90CTM
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
FQH90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO247-3
