Numărul de produs al producătorului:
BSD316SNH6327XTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSD316SNH6327XTSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventar:
30853 Piese Noi Originale În Stoc
12799965
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSD316SNH6327XTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 3.7µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
94 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT363-PO
Pachet / Carcasă
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Numărul de bază al produsului
BSD316
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSD316SNH6327XTSA1-DG
BSD316SN H6327
448-BSD316SNH6327XTSA1DKR
BSD316SN H6327-DG
448-BSD316SNH6327XTSA1CT
448-BSD316SNH6327XTSA1TR
SP000917668
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
IPC95R450P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPL65R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
