Numărul de produs al producătorului:
IPL65R1K5C6SATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPL65R1K5C6SATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 3A (Tc) 26.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Inventar:
12799981
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPL65R1K5C6SATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C6
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
26.6W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TSON-8-2
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
IPL65R1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001163086
INFINFIPL65R1K5C6SATMA1
2156-IPL65R1K5C6SATMA1
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
GC11N65D5
PRODUCĂTOR
Goford Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
GC11N65D5-DG
PREȚ UNIC
0.65
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPN60R360P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
