Numărul de produs al producătorului:
BSC093N15NS5ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC093N15NS5ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventar:
7592 Piese Noi Originale În Stoc
13063958
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC093N15NS5ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 107µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
139W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-7
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC093
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC093N15NS5ATMA1-ND
SP001279590
BSC093N15NS5ATMA1CT
BSC093N15NS5ATMA1DKR
BSC093N15NS5ATMA1TR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
