Numărul de produs al producătorului:
BSC014NE2LSIATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC014NE2LSIATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventar:
18735 Piese Noi Originale În Stoc
12799018
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC014NE2LSIATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 12 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-7
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC014
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC014NE2LSIATMA1TR
BSC014NE2LSIDKR
BSC014NE2LSICT-DG
BSC014NE2LSITR-DG
SP000911336
BSC014NE2LSI-DG
INFINFBSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSI
BSC014NE2LSIATMA1CT
BSC014NE2LSICT
2156-BSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSIDKR-DG
BSC014NE2LSIATMA1DKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSO303SPNTMA1
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
