Numărul de produs al producătorului:
BSS314PEH6327XTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS314PEH6327XTSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
37184 Piese Noi Originale În Stoc
12799029
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS314PEH6327XTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 6.3µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
294 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT23
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
BSS314
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSS314PE H6327CT-DG
BSS314PEH6327XTSA1CT
BSS314PEH6327XTSA1TR
BSS314PE H6327DKR
BSS314PEH6327XTSA1DKR
BSS314PE H6327CT
BSS314PE H6327-DG
BSS314PE H6327DKR-DG
SP000928944
BSS314PE H6327
BSS314PE H6327TR-DG
BSS314PEH6327
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
