Numărul de produs al producătorului:
BSC010N04LS6ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC010N04LS6ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventar:
10555 Piese Noi Originale În Stoc
12798697
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC010N04LS6ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-6
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC010
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC010N04LS6ATMA1CT
SP001687044
BSC010N04LS6ATMA1-DG
BSC010N04LS6ATMA1TR
BSC010N04LS6ATMA1DKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC029N025S G
MOSFET N-CH 25V 24A/100A TDSON
AUIRFR2607Z
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
BSF083N03LQ G
MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON