Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
AUIRFR2607Z
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
AUIRFR2607Z-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
RFQ Online
12798701
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AUIRFR2607Z Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1440 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
AUIRFR2607Z-DG
Fișe tehnice
AUIRFR2607Z
Informații suplimentare
Alte nume
SP001517366
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOD442
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
342350
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOD442-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMNH6021SK3Q-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
6091
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMNH6021SK3Q-13-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD45NF75T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
16447
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD45NF75T4-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SQD30N05-20L_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
3507
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQD30N05-20L_GE3-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD50N08S413ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4608
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD50N08S413ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSF083N03LQ G
MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON
BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
AUIRL1404S
MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
AUIRLS3114Z
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK