Numărul de produs al producătorului:
AUIRF7313Q
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
AUIRF7313Q-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 6.9A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12841897
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AUIRF7313Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.9A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
755pF @ 25V
Putere - Max
2.4W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
AUIRF7313
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001522556
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS6912A
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6968
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS6912A-DG
PREȚ UNIC
0.24
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTZD3155CT1H
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
NTJD2152PT1
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
NTMFD4C87NT3G
MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
