Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
AUIRF1010EZS
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
AUIRF1010EZS-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
RFQ Online
12820373
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AUIRF1010EZS Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2810 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
AUIRF1010
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
AUIRF1010EZS-DG
Fișe tehnice
AUIRF1010EZS
Informații suplimentare
Alte nume
SP001516450
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOB470L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOB470L-DG
PREȚ UNIC
0.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTA90N055T2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA90N055T2-DG
PREȚ UNIC
1.73
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN7R6-60BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7953
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN7R6-60BS,118-DG
PREȚ UNIC
0.65
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB80N06S407ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1176
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB80N06S407ATMA2-DG
PREȚ UNIC
0.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN008-75B,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
5795
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN008-75B,118-DG
PREȚ UNIC
0.80
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFK44N50P
MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
IXTA12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO263
IXFY30N25X3
MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
IXFA7N60P3
MOSFET N-CH 600V 7A TO263