Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXTA12N50P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTA12N50P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventar:
24 Piese Noi Originale În Stoc
12820376
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTA12N50P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXTA12N50P-DG
Fișe tehnice
IXTA12N50P
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF740STRLPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
10870
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF740STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.09
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FDB12N50TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDB12N50TM-DG
PREȚ UNIC
0.91
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STB14NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
716
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB14NM50N-DG
PREȚ UNIC
1.69
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STB11NK50ZT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
872
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB11NK50ZT4-DG
PREȚ UNIC
1.34
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFY30N25X3
MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
IXFA7N60P3
MOSFET N-CH 600V 7A TO263
IXFK44N80Q3
MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
IXFR180N07
MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247