Numărul de produs al producătorului:
AIMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
AIMW120R045M1XKSA1-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
239 Piese Noi Originale În Stoc
12948663
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AIMW120R045M1XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolSiC™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+20V, -7V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
228W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
AIMW120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP002472666
448-AIMW120R045M1XKSA1
2156-AIMW120R045M1XKSA1-448
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
