IPB120P04P404ATMA2
Numărul de produs al producătorului:

IPB120P04P404ATMA2

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPB120P04P404ATMA2-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventar:

14384 Piese Noi Originale În Stoc
12948675
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPB120P04P404ATMA2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS®-P2
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 340µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
205 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14790 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB120

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
448-IPB120P04P404ATMA2CT
SP002325758
448-IPB120P04P404ATMA2TR
448-IPB120P04P404ATMA2DKR
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPD90P03P4L04ATMA2

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31

infineon-technologies

IPD50P03P4L11ATMA2

MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31

infineon-technologies

IPP80P03P4L04AKSA2

MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

IPD85P04P407ATMA2

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3