Numărul de produs al producătorului:
IPB120P04P404ATMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB120P04P404ATMA2-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
14384 Piese Noi Originale În Stoc
12948675
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
hcFo
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB120P04P404ATMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS®-P2
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 340µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
205 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14790 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPB120P04P404ATMA2CT
SP002325758
448-IPB120P04P404ATMA2TR
448-IPB120P04P404ATMA2DKR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD50P03P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
IPP80P03P4L04AKSA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3