GT025N06AM
Numărul de produs al producătorului:

GT025N06AM

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

GT025N06AM-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Descriere detaliată:
N-Channel 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventar:

8000 Piese Noi Originale În Stoc
12997603
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

GT025N06AM Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
215W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
4822-GT025N06AMTR
Pachet standard
1,600

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
goford-semiconductor

GT035N10T

N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4

goford-semiconductor

GT007N04TL

N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.

goford-semiconductor

G60N10K

N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V

goford-semiconductor

G60N10K

MOSFET N-CH 100V 60A TO-252