Numărul de produs al producătorului:
GT007N04TL
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
GT007N04TL-DG
Descriere:
N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TOLL-8L
Inventar:
12997607
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
GT007N04TL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
163 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7363 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TOLL-8L
Pachet / Carcasă
8-PowerSFN
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3141-GT007N04TLTR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
G60N10K
N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
G60N10K
MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
G58N06K
MOSFET N-CH 60V 58A TO-252
