Numărul de produs al producătorului:
G65P06T
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G65P06T-DG
Descriere:
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
153 Piese Noi Originale În Stoc
13000870
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G65P06T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5814 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
130W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3141-G65P06T
4822-G65P06T
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMTH4M70SPGW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMT69M5LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
NVMFS003P03P8ZT1G
PFET SO8FL -30V 3MO
