Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
DMTH4M70SPGW-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMTH4M70SPGW-13-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 460A (Tc) 5.6W (Ta), 428W (Tc) Surface Mount PowerDI8080-5
Inventar:
RFQ Online
13000873
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMTH4M70SPGW-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
460A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
117.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10053 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.6W (Ta), 428W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI8080-5
Pachet / Carcasă
SOT-1235
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
DMTH4M70SPGW
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMTH4M70SPGW-13TR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMTH4M70SPGWQ-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
2845
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMTH4M70SPGWQ-13-DG
PREȚ UNIC
1.67
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMT69M5LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
NVMFS003P03P8ZT1G
PFET SO8FL -30V 3MO
G2014
N20V,RD(MAX)<
[email protected]
,RD(MAX)<11M
NTMFS5C645NT1G
60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL