Numărul de produs al producătorului:
G2012
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G2012-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
Descriere detaliată:
N-Channel 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
13000381
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G2012 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±10V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
1.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-DFN (2x2)
Pachet / Carcasă
6-WDFN Exposed Pad
Informații suplimentare
Alte nume
4822-G2012TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHD14N60ET1-GE3
N-CHANNEL 600V
IRFR9210PBF-BE3
P-CHANNEL 200V
G10N03S
MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
