Numărul de produs al producătorului:
G10N03S
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G10N03S-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Descriere detaliată:
N-Channel 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
13000386
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G10N03S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
2.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
4822-G10N03STR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
G10N03S
PRODUCĂTOR
Goford Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
3730
DiGi NUMĂR DE PARTE
G10N03S-DG
PREȚ UNIC
0.11
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJA20EP-T1_BE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
DMT8008SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMNH15H110SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
