G160N04K
Numărul de produs al producătorului:

G160N04K

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G160N04K-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
Descriere detaliată:
N-Channel 25A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

13002636
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

G160N04K Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
43W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
4822-G160N04KTR
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
nexperia

PMPB12R5UPEX

PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M

goford-semiconductor

GC041N65QF

MOSFET N-CH 650V 70A TO-247

goford-semiconductor

GT100N04D3

N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5

goford-semiconductor

G900P15M

P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH