G900P15M
Numărul de produs al producătorului:

G900P15M

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G900P15M-DG

Descriere:

P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Descriere detaliată:
P-Channel 150 V 60A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventar:

109 Piese Noi Originale În Stoc
13002659
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

G900P15M Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4056 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3141-G900P15MTR
3141-G900P15MDKR
3141-G900P15MCT
Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
epc-space

EPC7003AC

GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB

diodes

DMN2710UFB-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K824R,LF

N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03

vishay-siliconix

SIHP074N65E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,