G12P10K
Numărul de produs al producătorului:

G12P10K

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G12P10K-DG

Descriere:

P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 12A 57W Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

1157 Piese Noi Originale În Stoc
12986509
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

G12P10K Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1720 pF @ 50 V
Disiparea puterii (max)
57W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3141-G12P10KTR
3141-G12P10KCT
3141-G12P10KDKR
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMP2070U-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

diodes

DMP2110UFDBQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

vishay-siliconix

SI3460DDV-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET