Numărul de produs al producătorului:
IPZA65R018CFD7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPZA65R018CFD7XKSA1-DG
Descriere:
HIGH POWER_NEW
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 106A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
Inventar:
12986515
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPZA65R018CFD7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
106A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 58.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.91mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11660 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
446W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-4-3
Pachet / Carcasă
TO-247-4
Numărul de bază al produsului
IPZA65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP005413354
448-IPZA65R018CFD7XKSA1
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP2070U-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
DMP2110UFDBQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
SI3460DDV-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
